Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
204-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Объем
2 модуля по 4 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to
CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) 24
Дополнительно Напряжение питания 1.5 В