Все категории
- Все категории
Регистрация на Leboard.ru
Создайте свою учетную запись в один клик
или
Или заполните короткую форму
Вход на Leboard.ru
Войдите, используя вашу социальную сеть
или
Введите ваши логин и пароль
Забыли пароль?
Проверка логина
Если указанный вами адрес электронной почты зарегистрирован на Leboard.ru, мы вышлем вам на него ссылку на восстановление пароля.
Закрыть
Если вы не получите емейл со ссылкой на восстановление пароля в течение пары минут, проверьте правильность введенного вами адреса.
Leboard.ru
– Выбор пользователей по данным Яндексаi Знак “Выбор пользователей” получают сайты с высокой степенью вовлечённости и лояльности пользователей по данным Яндекса
– Выбор пользователей по данным Яндексаi Знак “Выбор пользователей” получают сайты с высокой степенью вовлечённости и лояльности пользователей по данным Яндекса 
Подать объявление
Модули памяти KVR667D2D8F5
5 000 ₽
4 штуки.
Общие характеристики:
Тип памяти........................................DDR2
Форм-фактор..................................... FB-DIMM 240-контактный
Тактовая частота..............................667 МГц
Пропускная способность..................5300 Мб/с
Объем....................................... ........1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC................................есть
Буферизов анная (Registered)..........да
Низкопрофильная (Low Profile).......нет
Тайминги:
CAS Latency (CL)...............................5
RAS to CAS Delay (tRCD)..................5
Row Precharge Delay (tRP)................5
Activate to Precharge Delay (tRAS)....15
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля..18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания.........................1.8 В
Радиатор....................................... ......есть
Количество ранков.............................2
Дополнительн ая информация:
Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.
Общие характеристики:
Тип памяти........................................DDR2
Форм-фактор..................................... FB-DIMM 240-контактный
Тактовая частота..............................667 МГц
Пропускная способность..................5300 Мб/с
Объем....................................... ........1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC................................есть
Буферизов анная (Registered)..........да
Низкопрофильная (Low Profile).......нет
Тайминги:
CAS Latency (CL)...............................5
RAS to CAS Delay (tRCD)..................5
Row Precharge Delay (tRP)................5
Activate to Precharge Delay (tRAS)....15
Дополнительно:
Количество чипов каждого модуля..18, двусторонняя упаковка
Напряжение питания.........................1.8 В
Радиатор....................................... ......есть
Количество ранков.............................2
Дополнительн ая информация:
Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно.
Сообщение отправлено 
